p2000a ... p2000m p2000a ... p2000m silicon rectifier diodes C silizium-gleichrichterdioden version 2013-01-24 dimensions - ma?e [mm] nominal current nennstrom 20 a repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung 50...1000 v plastic case kunststoffgeh?use ? 8 x 7.5 [mm] weight approx. gewicht ca. 2.0 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped in ammo pack standard lieferform gegurtet in ammo-pack maximum ratings grenzwerte type typ repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung v rrm [v] surge peak reverse voltage sto?spitzensperrspannung v rsm [v] p2000a 50 50 p2000b 100 100 p2000d 200 200 P2000G 400 400 p2000j 600 600 p2000k 800 800 p2000m 1000 1000 max. average forward rectified current, r-load dauergrenzstrom in einwegschaltung mit r-last t a = 50c i fav 20 a 1 ) repetitive peak forward current periodischer spitzenstrom f > 15 hz i frm 100 a 1 ) peak forward surge current, 50/60 hz half sine-wave sto?strom fr eine 50/60 hz sinus-halbwelle t a = 25c i fsm 500/550 a rating for fusing, t < 10 ms grenzlastintegral, t < 10 ms t a = 25c i 2 t 1250 a 2 s junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -50...+175c -50...+175c 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 1 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag type ? 1.2 0.05 ? 8 0.1 7 . 5 0 . 1 6 2 . 5 0 . 5
p2000a ... p2000m characteristics kennwerte forward voltage C durchlass-spannung t j = 25c t j = 25c i f = 5 a i f = 20 a v f < 0.87 v < 1.10 v leakage current C sperrstrom t j = 25c v r = v rrm i r < 10 a thermal resistance junction to ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 4 k/w 1 ) thermal resistance junction to leads w?rme widerstand sperrschicht C anschlussdraht r thl < 2.0 k/w 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag 120 100 80 60 40 20 0 [%] i fav rated forward current versus ambient temperature ) zul. richtstrom in abh. von der umgebungstemp. ) 1 1 [c] t a 150 100 50 0 peak forward surge current versus number of cycles at 50 hz durchlass-spitzenstrom in abh. von der zahl der halbwellen bei 50 hz 10 10 10 3 2 [a] ? f 1 10 10 [n] 10 2 3 forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) 0.4 v f 0.8 1.0 1.2 1.4 [v] 1.8 10 10 10 1 10 3 2 -1 [a] i f t = 25c j t = 125c j 400a-(5a-0.9v)
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